Cold source field-effect transistor with type-III band-aligned HfS$_2$/WTe$_2$ heterostructure

Fuente: arXiv

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Guo, Shujin, Shi, Qing, Guo, Deping, Liu, Fei, Kong, Xianghua, Zhao, Yonghong, Guo, Hong
Formato:	Preprint
Publicado:	2026
Materias:	Materials Science Mesoscale and Nanoscale Physics
Acceso en línea:	Acceder al recurso
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https://arxiv.org/abs/2603.11819