940-nm VCSELs grown by molecular beam epitaxy on Ge(001)

Fuente: arXiv
Guardado en:
Detalles Bibliográficos
Autores principales: Saddik, Karim Ben, Arnoult, Alexandre, Gadras, Pierre, Calvez, Stéphane, Bourdon, Léo, Monflier, Richard, Strupinski, Wlodek, Almuneau, Guilhem
Formato: Preprint
Publicado: 2026
Materias:
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