Domain Walls Stabilized by Intrinsic Phonon Modes and Engineered Defects Enable Robust Ferroelectricity in HfO2
Fuente:
arXiv
Salvato in:
| Autori principali: | Yu, Chenxi, Zhang, Jiajia, Song, Xujin, Sun, Dijiang, Li, Shangze, Liu, Fei, Liu, Xiaoyan, Xi, Wei, Kang, Jinfeng |
|---|---|
| Natura: | Preprint |
| Pubblicazione: |
2026
|
| Soggetti: | |
| Accesso online: | |
| Tags: |
Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi
Decoding the Complexity of Ferroelectric Orthorhombic HfO2: A Unified Mode Expansion Approach
di: Yu, Chenxi, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Yu, Chenxi, et al.
Pubblicazione: (2026)
Robust and Compatible Ferroelectric Memories with Polycrystalline TiO 2 Channel for 3D Integration
di: Xujin Song, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Xujin Song, et al.
Pubblicazione: (2026)
Role of Domain Walls on Imprint and Fatigue in HfO2-Based Ferroelectrics
di: Xie, Muting, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Xie, Muting, et al.
Pubblicazione: (2024)
Revealing the Ferroelectric Fatigue Pathways in HfO₂ Film
di: Yufeng Xue, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Yufeng Xue, et al.
Pubblicazione: (2025)
Progress in Computational Understanding of Ferroelectric Mechanisms in HfO$_2$
di: Zhu, Tianyuan, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Zhu, Tianyuan, et al.
Pubblicazione: (2024)
Triggered Ferroelectricity in HfO 2 From Hybrid Phonons and Higher‐Order Dynamical Charges
di: Seongjoo Jung, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Seongjoo Jung, et al.
Pubblicazione: (2026)
Phase Synergy Enables Low‐Power Ferroelectric Switching in HfO 2 Epitaxial Films
di: Kefan Wang, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Kefan Wang, et al.
Pubblicazione: (2026)
Roles of Structural Coordination and Strain Orientation in the Phase Stability of Ferroelectric HfO$_2$
di: Aladese, Adedamola D., et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Aladese, Adedamola D., et al.
Pubblicazione: (2024)
Depth‐Resolved X‐Ray Photoelectron Spectroscopy Evidence of Intrinsic Polar States in HfO 2 ‐Based Ferroelectrics
di: Megan O. Hill, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Megan O. Hill, et al.
Pubblicazione: (2024)
Ferroelectricity in $\mathrm{HfO_2}$ from a chemical perspective
di: Yuan, Jun-Hui, et al.
Pubblicazione: (2022)
di: Yuan, Jun-Hui, et al.
Pubblicazione: (2022)
Localized interfacial Phonon Modes at the Electronic Axion Domain Wall
di: Chatterjee, Abhinava, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Chatterjee, Abhinava, et al.
Pubblicazione: (2024)
Stabilizing Schottky‐to‐Ohmic Switching in HfO2‐Based Ferroelectric Films via Electrode Design
di: Moritz L. Müller, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Moritz L. Müller, et al.
Pubblicazione: (2025)
Defect-Charge-Driven 90° Switching in HfO2
di: Xie, Muting, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Xie, Muting, et al.
Pubblicazione: (2025)
Water‐Assisted Exfoliation of HfO 2 ‐Based Membrane for Flexible Robust Ferroelectric Synaptic Transistors
di: Han Zhang, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Han Zhang, et al.
Pubblicazione: (2026)
Ferroelectricity in undoped HfO2 down to one-unit-cell on Si substrate
di: Wang, Tiantian, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Wang, Tiantian, et al.
Pubblicazione: (2025)
Ferroelectric HfO$_2$-ZrO$_2$ multilayers with reduced wake-up
di: Mandal, Barnik, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Mandal, Barnik, et al.
Pubblicazione: (2024)
Heracles: A HfO2 Ferroelectric Capacitor Compact Model for Efficient Circuit Simulations
di: Fehlings, Luca, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Fehlings, Luca, et al.
Pubblicazione: (2024)
Exploring the Morphotropic Phase Boundary in HfO 2 ‐Based Ferroelectrics for Advanced High‐k Dielectrics
di: Seungyeol Oh, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Seungyeol Oh, et al.
Pubblicazione: (2024)
Effects of Charge Imbalance on Field‐Induced Instability of HfO2‐Based Ferroelectric Tunnel Junctions
di: Wonjun Shin, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Wonjun Shin, et al.
Pubblicazione: (2024)
Advancing the Frontiers of HfO 2 ‐Based Ferroelectric Memories: Innovative Concepts from Materials to Applications
di: Zuopu Zhou, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Zuopu Zhou, et al.
Pubblicazione: (2025)
Toward Energy‐Efficient Ferroelectric Field‐Effect Transistors and Ferroelectric Random Access Memories: Tailoring the Coercive Field of Ferroelectric HfO2 Films
di: David Lehninger, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: David Lehninger, et al.
Pubblicazione: (2024)
High-Efficiency Electrically Switchable Nonvolatile Thermal Transistor with Multiple Thermal Conductivity States Based on Ferroelectric HfO2
di: Huo, Yong-Kun, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Huo, Yong-Kun, et al.
Pubblicazione: (2025)
Superlubric Motion of Wave-like Domain Walls in Sliding Ferroelectrics
di: Ke, Changming, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Ke, Changming, et al.
Pubblicazione: (2025)
Electric Field-Induced Phase Transitions and Hysteresis in Ferroelectric HfO2 Captured with Machine Learning Potential
di: Chen, Po-Yen, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Chen, Po-Yen, et al.
Pubblicazione: (2025)
Low‐Frequency Noise Spectroscopy for Navigating Geometrically Varying Strain Effects in HfO 2 Ferroelectric FETs
di: Ryun‐Han Koo, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Ryun‐Han Koo, et al.
Pubblicazione: (2025)
Sliding and superlubric moiré twisting ferroelectric transition in HfO2
di: Sun, Jie, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Sun, Jie, et al.
Pubblicazione: (2025)
Unexpected Density Functional Dependence of the Antipolar $Pbcn$ Phase in HfO$_2$
di: Fan, Di, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Fan, Di, et al.
Pubblicazione: (2025)
Electric-Field-Induced Domain Walls in Wurtzite Ferroelectrics
di: Wang, Ding, et al.
Pubblicazione: (2023)
di: Wang, Ding, et al.
Pubblicazione: (2023)
Enhanced Performance of FeFET Gate Stack via Heterogeneously co-doped Ferroelectric HfO$_2$ Films
di: Yang, Shouzhuo, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Yang, Shouzhuo, et al.
Pubblicazione: (2025)
Ferroelectric HfO 2 /ZrO 2 Superlattice Capacitors With High Center to Edge Wafer‐Scale Uniformity
di: Oscar Kaatranen, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Oscar Kaatranen, et al.
Pubblicazione: (2026)
Effect of La Spatial Uniformity on Ferroelectric Properties of HfO2 Films Deposited by Atomic Layer Deposition Method
di: Juyoung Jeong, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Juyoung Jeong, et al.
Pubblicazione: (2024)
Anharmonic thermodynamics redefines metastability and parent phases in ferroelectric HfO2
di: Shen, Yiheng, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Shen, Yiheng, et al.
Pubblicazione: (2026)
Gate Engineering Effect in Ferroelectric Field‐Effect Transistors with Al‐Doped HfO2 Thin Film and Amorphous Indium‐Gallium‐Zinc‐Oxide Channel
di: Jae Hoon Lee, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Jae Hoon Lee, et al.
Pubblicazione: (2024)
Flexoelectricity in Amorphous Hafnium Oxide (HfO2)
di: Moreno-Garcia, Daniel, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Moreno-Garcia, Daniel, et al.
Pubblicazione: (2024)
Vanadium-doped HfO$_2$, multiferroic uncompromised
di: Fiorentini, Vincenzo, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Fiorentini, Vincenzo, et al.
Pubblicazione: (2025)
Heterogeneous Integration of Graphene and HfO2 Memristors
di: Urška Trstenjak, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Urška Trstenjak, et al.
Pubblicazione: (2024)
Synergistic Domain and Defect Engineering Enables Giant Electrostrain With High Piezoelectric Sensitivity in Lead‐Free Ferroelectrics
di: Yuxuan Li, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Yuxuan Li, et al.
Pubblicazione: (2026)
Epitaxial formation of ultrathin HfO2 on graphene by sequential oxidation
di: Liu, Zhenjing, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Liu, Zhenjing, et al.
Pubblicazione: (2025)
Proximity Ferroelectricity Driven by Mobile High-Miller-Index Domain Walls
di: Ke, Changming, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Ke, Changming, et al.
Pubblicazione: (2026)
Dynamics of Conducting Ferroelectric Domain Walls
di: Carroll, Carson, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Carroll, Carson, et al.
Pubblicazione: (2025)
Documenti analoghi
-
Decoding the Complexity of Ferroelectric Orthorhombic HfO2: A Unified Mode Expansion Approach
di: Yu, Chenxi, et al.
Pubblicazione: (2026) -
Robust and Compatible Ferroelectric Memories with Polycrystalline TiO 2 Channel for 3D Integration
di: Xujin Song, et al.
Pubblicazione: (2026) -
Role of Domain Walls on Imprint and Fatigue in HfO2-Based Ferroelectrics
di: Xie, Muting, et al.
Pubblicazione: (2024) -
Revealing the Ferroelectric Fatigue Pathways in HfO₂ Film
di: Yufeng Xue, et al.
Pubblicazione: (2025) -
Progress in Computational Understanding of Ferroelectric Mechanisms in HfO$_2$
di: Zhu, Tianyuan, et al.
Pubblicazione: (2024)