Stability of Charge Collection Efficiency and Time Resolution in 4H-SiC PIN Diodes Under X-ray Irradiation

Fuente: arXiv

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Détails bibliographiques
Auteurs principaux:	Zhou, Jiaqi, Zhao, Sen, Zhang, Xiyuan, Xiao, Suyu, Fu, Chenxi, Wang, Congcong, Li, Yanpeng, Song, Weimin, Shi, Xin
Format:	Preprint
Publié:	2026
Sujets:	Instrumentation and Detectors
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https://arxiv.org/abs/2603.18547