Cvitkovich, L., Stano, P., Bougeard, D., Niquet, Y., & Loss, D. (2026). Increasing valley splitting in Si/SiGe by practically achievable heterostructure profiles.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Cvitkovich, Lukas, Peter Stano, Dominique Bougeard, Yann-Michel Niquet, und Daniel Loss. Increasing Valley Splitting in Si/SiGe by Practically Achievable Heterostructure Profiles. 2026.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)Cvitkovich, Lukas, et al. Increasing Valley Splitting in Si/SiGe by Practically Achievable Heterostructure Profiles. 2026.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.