Reliable and High Performance IGZO and In2O3 Transistors via Channel Capping

Fuente: arXiv

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Cheng, C. W., Smith, J., Mashooq, K., Solomon, P., Watters, R., Philicelli, T., Piatek, D., Lavoie, C., Hopstaken, M., Gignac, L., Khan, B., BrightSky, M., Gionta, G., Hashemi, P., Narayanan, V., Frank, M. M.
Format:	Preprint
Veröffentlicht:	2026
Schlagworte:	Materials Science
Online-Zugang:	Acceder al recurso
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Online

https://arxiv.org/abs/2603.23341