Impact of gate voltage on switching field of perpendicular magnetic tunnel junctions with a synthetic antiferromagnetic free layer

Fuente: arXiv

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Dettagli Bibliografici
Autori principali:	Fan, K., Beek, S. V., Talmelli, G., Kateel, V., Giuliano, D., Vermeulen, B., Cai, K., Sorée, B., Boeck, J. D., Carpenter, R., Rao, S., Couet, S., Nguyen, V. D., Kar, G. S.
Natura:	Preprint
Pubblicazione:	2026
Soggetti:	Mesoscale and Nanoscale Physics
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Accesso online

https://arxiv.org/abs/2604.00839