Epitaxial MgSnN2 on 4H-SiC (0001): An Earth-Abundant Nitride for Green Optoelectronics and Photovoltaics

Fuente: arXiv

Salvato in:

Dettagli Bibliografici
Autori principali:	Gogova, D., Tran, D., Stanishev, V., Shafizadeh, D., Hsiao, C. -L., Kim, M., Pécz, B., Kovács, A., Frey, K., Sulyok, A., Singh, N. K., Febvrier, A. Le, Eklund, P., Darakchieva, V.
Natura:	Preprint
Pubblicazione:	2026
Soggetti:	Materials Science
Accesso online:	Acceder al recurso
Tags:	Aggiungi Tag Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!

Lascia un commento!

Documenti analoghi