Grafted Low-Leakage Si/AlN p-n Diodes Enabled by Fluorinated AlN Interface

Fuente: arXiv

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Détails bibliographiques
Auteurs principaux:	Lu, Yi, Tsai, Tsung-Han, Wang, Qingxiao, Cao, Haicheng, Zhou, Jie, Koo, You Jin, Wang, Chenyu, Liu, Yang, Hao, Yueyue, Eller, Michael, Bailey, Connor, Liu, Stephanie, Tanen, Nicholas J., Liu, Zhiyuan, Nong, Mingtao, Jacobberger, Robert M., Ng, Tien Khee, Fountaine, Katherine, Gambin, Vincent, Ooi, Boon S., Li, Xiaohang, Ma, Zhenqiang
Format:	Preprint
Publié:	2026
Sujets:	Materials Science
Accès en ligne:	Acceder al recurso
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https://arxiv.org/abs/2604.06359