High Breakdown Field Multi-kV UWBG AlGaN Transistors

Fuente: arXiv

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Detalles Bibliográficos
Autores principales:	Shin, Seungheon, Liddy, Kyle, Pratt, Jon, Cao, Can, Zhu, Yinxuan, Klein, Brianna A., Armstrong, Andrew, Allerman, Andrew A., Rajan, Siddharth
Formato:	Preprint
Publicado:	2026
Materias:	Applied Physics Materials Science
Acceso en línea:	Acceder al recurso
Etiquetas:	Agregar Etiqueta Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!

Internet

https://arxiv.org/abs/2604.06372