High Breakdown Field Multi-kV UWBG AlGaN Transistors

Fuente: arXiv

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Détails bibliographiques
Auteurs principaux:	Shin, Seungheon, Liddy, Kyle, Pratt, Jon, Cao, Can, Zhu, Yinxuan, Klein, Brianna A., Armstrong, Andrew, Allerman, Andrew A., Rajan, Siddharth
Format:	Preprint
Publié:	2026
Sujets:	Applied Physics Materials Science
Accès en ligne:	Acceder al recurso
Tags:	Ajouter un tag Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!

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https://arxiv.org/abs/2604.06372