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High Breakdown Field Multi-kV UWBG AlGaN Transistors

Fuente: arXiv

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Hauptverfasser:	Shin, Seungheon, Liddy, Kyle, Pratt, Jon, Cao, Can, Zhu, Yinxuan, Klein, Brianna A., Armstrong, Andrew, Allerman, Andrew A., Rajan, Siddharth
Format:	Preprint
Veröffentlicht:	2026
Schlagworte:	Applied Physics Materials Science
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