Machine learning Hamiltonian enables scalable and accurate defect calculations: The case of oxygen vacancies in amorphous SiO$_2$
Fuente:
arXiv
Salvato in:
| Autori principali: | Dai, Zhenxing, Yang, Zhong, Ni, Mingjue, Huang, Menglin, Xiang, Hongjun, Gong, Xin-Gao, Chen, Shiyou |
|---|---|
| Natura: | Preprint |
| Pubblicazione: |
2026
|
| Soggetti: | |
| Accesso online: | |
| Tags: |
Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi
Silicon Nanowire Gate‐All‐Around Cold Source MOSFET With Ultralow Power Dissipation: A Machine‐Learning‐Hamiltonian Accelerated Design
di: Kang Wang, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Kang Wang, et al.
Pubblicazione: (2025)
"One defect, one potential" strategy for accurate machine learning prediction of defect phonons
di: Zhou, Junjie, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Zhou, Junjie, et al.
Pubblicazione: (2025)
Substitutional platinum as an efficient nonradiative recombination center in silicon
di: Dai, Zhenxing, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Dai, Zhenxing, et al.
Pubblicazione: (2026)
Si/SiO$_\text{2}$ MOSFET Reliability Physics: From Four-State Model to All-State Model
di: Guo, Xinjing, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Guo, Xinjing, et al.
Pubblicazione: (2024)
Physics-Informed Long-Range Coulomb Correction for Machine-learning Hamiltonians
di: Zhong, Yang, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Zhong, Yang, et al.
Pubblicazione: (2026)
Universal Machine Learning Kohn-Sham Hamiltonian for Materials
di: Zhong, Yang, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Zhong, Yang, et al.
Pubblicazione: (2024)
Linear Scaling Calculation of Atomic Forces and Energies with Machine Learning Local Density Matrix
di: Xin, Zaizhou, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Xin, Zaizhou, et al.
Pubblicazione: (2025)
A Universal Spin-Orbit-Coupled Hamiltonian Model for Accelerated Quantum Material Discovery
di: Zhong, Yang, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Zhong, Yang, et al.
Pubblicazione: (2025)
Theoretical investigation of vacancy related defects at 4H-SiC(000$\bar{1}$)/SiO$_2$ interface after wet oxidation
di: Tsunasaki, Mukai, et al.
Pubblicazione: (2022)
di: Tsunasaki, Mukai, et al.
Pubblicazione: (2022)
Defect Phonon Renormalization during Nonradiative Multiphonon Transitions in Semiconductors
di: Zhou, Junjie, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Zhou, Junjie, et al.
Pubblicazione: (2025)
Hydroxyl extinction coefficient of synthetic amorphous powder SiO 2
di: A. V. Fofanov, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: A. V. Fofanov, et al.
Pubblicazione: (2025)
RASP: Reliability ab initio simulation package of MOSFETs based on all-state model
di: Guo, Xinjing, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Guo, Xinjing, et al.
Pubblicazione: (2026)
Intrinsic breakdown strength: theoretical derivation and first-principles calculations
di: Liu, Shixu, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Liu, Shixu, et al.
Pubblicazione: (2024)
Carrier Emission and Capture Competition mediated A(n)BC Recombination Model in Semiconductors with Multi-Level Defects
di: Wang, Shanshan, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Wang, Shanshan, et al.
Pubblicazione: (2025)
Machine-learning structural reconstructions for accelerated point defect calculations
di: Mosquera-Lois, Irea, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Mosquera-Lois, Irea, et al.
Pubblicazione: (2024)
Symmetry Adapted Analysis of Screw Dislocation: Electronic Structure and Carrier Recombination Mechanisms in GaN
di: Xie, Yuncheng, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Xie, Yuncheng, et al.
Pubblicazione: (2026)
Sampling-enabled scalable manifold learning unveils the discriminative cluster structure of high-dimensional data
di: Peng, Dehua, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Peng, Dehua, et al.
Pubblicazione: (2024)
Attention Mechanism in Line Graph Neural Network for Material Property Prediction
di: Liulei Shao, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Liulei Shao, et al.
Pubblicazione: (2026)
Angle and time-resolved polarization change induced by Kerr effect in amorphous and crystalline SiO2
di: Pierrick, Lample, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Pierrick, Lample, et al.
Pubblicazione: (2025)
Redistribution of dopants between amorphous and crystalline phases in ZrO 2 –SiO 2 nanoceramics
di: Le Fu, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Le Fu, et al.
Pubblicazione: (2024)
Oxygen-vacancy quantum spin defects in silicon carbide
di: Chen, Yu, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Chen, Yu, et al.
Pubblicazione: (2025)
Inter-defect interactions, oxygen-vacancy distribution, and oxidation in acceptor-doped ABO3 perovskites
di: Putilov, L. P., et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Putilov, L. P., et al.
Pubblicazione: (2025)
Thermal‐driven oxygen vacancy (Von+) defect engineering in AlON powder for enhancing ceramic transparency
di: Xiaolan Zhou, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Xiaolan Zhou, et al.
Pubblicazione: (2025)
Hierarchical geometric deep learning enables scalable analysis of molecular dynamics
di: Pengmei, Zihan, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Pengmei, Zihan, et al.
Pubblicazione: (2025)
Active learning and explicit electrostatics enable accurate modeling of electrolytes
di: Chalykh, Olga, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Chalykh, Olga, et al.
Pubblicazione: (2025)
Machine learning determines the Mg2SiO4 P-T phase diagram
di: Zhou, Siyu, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Zhou, Siyu, et al.
Pubblicazione: (2026)
Efficient construction of effective Hamiltonians with a hybrid machine learning method
di: Cheng, Yang, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Cheng, Yang, et al.
Pubblicazione: (2025)
Machine learning-enabled inverse design of bimaterial thermoelastic lattice metamaterials
di: Peng, Xiang-Long, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Peng, Xiang-Long, et al.
Pubblicazione: (2026)
Comparative structural study of Al 2 O 3 –SiO 2 glasses and amorphous thin films
di: Sirine Ben Khemis, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Sirine Ben Khemis, et al.
Pubblicazione: (2024)
Theory of optical spin polarization of axial divacancy and nitrogen-vacancy defects in 4H-SiC
di: Bian, Guodong, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Bian, Guodong, et al.
Pubblicazione: (2024)
Quasispins of vacancy defects and their interactions in disordered antiferromagnets
di: Sedik, Muhammad, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Sedik, Muhammad, et al.
Pubblicazione: (2024)
Unveiling defect motifs in amorphous GeSe using machine learning interatomic potentials
di: Moon, Minseok, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Moon, Minseok, et al.
Pubblicazione: (2025)
Unveiling defect motifs in amorphous GeSe using machine learning interatomic potentials
di: Moon, Minseok, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Moon, Minseok, et al.
Pubblicazione: (2025)
Impedance Inhomogeneity in SiO/Gr Composite Anode
di: Xiang Gao, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Xiang Gao, et al.
Pubblicazione: (2024)
Effects of amorphous phase and yttrium on flash sintering and microstructures of ZrO 2 –SiO 2 ceramic nanocomposites
di: Le Fu, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Le Fu, et al.
Pubblicazione: (2024)
Combining unsupervised and supervised learning in microscopy enables defect analysis of a full 4H-SiC wafer
di: Nguyen, Binh Duong, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Nguyen, Binh Duong, et al.
Pubblicazione: (2024)
Accelerating point defect simulations using data-driven and machine learning approaches
di: Mannodi-Kanakkithodi, Arun, et al.
Pubblicazione: (2026)
di: Mannodi-Kanakkithodi, Arun, et al.
Pubblicazione: (2026)
Accurate prediction of structural and mechanical properties on amorphous materials enabled through machine-learning potentials: a case study of silicon nitride
di: Nayak, Ganesh Kumar, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Nayak, Ganesh Kumar, et al.
Pubblicazione: (2024)
Identifying Direct Bandgap Silicon Structures with High-throughput Search and Machine Learning Methods
di: Wang, Rui, et al.
Pubblicazione: (2024)
di: Wang, Rui, et al.
Pubblicazione: (2024)
Prior-Constrained Association Learning for Fine-Grained Generalized Category Discovery
di: Wang, Menglin, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Wang, Menglin, et al.
Pubblicazione: (2025)
Documenti analoghi
-
Silicon Nanowire Gate‐All‐Around Cold Source MOSFET With Ultralow Power Dissipation: A Machine‐Learning‐Hamiltonian Accelerated Design
di: Kang Wang, et al.
Pubblicazione: (2025) -
"One defect, one potential" strategy for accurate machine learning prediction of defect phonons
di: Zhou, Junjie, et al.
Pubblicazione: (2025) -
Substitutional platinum as an efficient nonradiative recombination center in silicon
di: Dai, Zhenxing, et al.
Pubblicazione: (2026) -
Si/SiO$_\text{2}$ MOSFET Reliability Physics: From Four-State Model to All-State Model
di: Guo, Xinjing, et al.
Pubblicazione: (2024) -
Physics-Informed Long-Range Coulomb Correction for Machine-learning Hamiltonians
di: Zhong, Yang, et al.
Pubblicazione: (2026)