Gate-Reconfigurable Single- and Double-Dot Transport in Trilayer MoSe2

Fuente: arXiv

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Lee, Seungwoo, Park, Minjun, Noh, Yunsang, An, Sung Jin, Kim, Soyun, Cho, Minseo, Kim, Dohun, Taniguchi, Takashi, Watanabe, Kenji, Jung, Minkyung, Kim, Youngwook
Format:	Preprint
Veröffentlicht:	2026
Schlagworte:	Mesoscale and Nanoscale Physics Materials Science
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