Atomic-scale order enables high thermal boundary conductance at $β$-Ga$_2$O$_3$/4H-SiC interfaces

Fuente: arXiv

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Yang, Hongao, Yang, Yongtao, Liu, Yuanbin, Ding, Tao, Shen, Yang, Huang, Jiawei, Ma, Weigang, Fei, Linfeng, Wu, Zhenping, Csányi, Gábor, Cao, Bingyang
Format:	Preprint
Veröffentlicht:	2026
Schlagworte:	Materials Science Applied Physics
Online-Zugang:	Acceder al recurso
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Keine Beschreibung verfügbar.

Ähnliche Einträge