Nonvolatile Charge-Domain Attention with HZO Ferroelectric Capacitors: A Simulation-Based Device-to-System Evaluation

Fuente: arXiv

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Abouagour, Faris
Format:	Preprint
Veröffentlicht:	2026
Schlagworte:	Hardware Architecture Emerging Technologies B.7.1; C.1.3; I.2.6
Online-Zugang:	Acceder al recurso
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