Comparative analysis of threshold voltage extraction techniques based in the MOSFET gm/ID characteristic

Fuente: Redalyc

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Detalles Bibliográficos
Autor principal:	Arturo Fajardo Jaimes
Formato:	Artículo científico
Lenguaje:	en
Publicado:	Universidad Distrital Francisco José de Caldas 2017
Materias:	Ingeniería Gm MOSFET Modeling Threshold Voltage Extraction ID transconductance efficiency
Acceso en línea:	Acceder al recurso 1 Acceder al recurso 2 Acceder al recurso 3 Acceder al recurso 4 Acceder al recurso 5
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