Comparative analysis of threshold voltage extraction techniques based in the MOSFET gm/ID characteristic

Fuente: Redalyc

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Auteur principal:	Arturo Fajardo Jaimes
Format:	Artículo científico
Langue:	en
Publié:	Universidad Distrital Francisco José de Caldas 2017
Sujets:	Ingeniería Gm MOSFET Modeling Threshold Voltage Extraction ID transconductance efficiency
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