Prototipo sensor de imagen CMOS con arquitectura de modulación a nivel columna
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Redalyc
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| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Artículo científico |
| Sprache: | es |
| Veröffentlicht: |
Universidad Nacional Autónoma de México
2016
|
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| _version_ | 1876484021064564736 |
|---|---|
| author | Sergio Garduza-González |
| author_facet | Sergio Garduza-González |
| contents | Prototipo sensor de imagen CMOS con arquitectura de modulación a nivel columna Sergio Garduza-González Felipe Gómez-Castañeda José Antonio Moreno-Cadenas Ponce-Ponce Víctor Hugo Ingeniería delta óxido semiconductor modulación sigma Convertidor analógico Un sensor de imagen CMOS se compone de matriz de sensado, lógica de selección fila/columna y convertidor analógico-digital. El desempeño de este último influye en el desempeño global del sensor de imagen. Una alter- nativa estudiada en los últimos años, es la arquitectura de sobremuestreo, que a diferencia de la tradicional arquitectura Nyquist, alcanza la misma razón señal a ruido, pero con cuantificador de 1-bit. Esta importante venta- ja es atractiva para depender menos de las imperfecciones tecnológicas de los circuitos. Este artículo presenta el diseño de un prototipo sensor de ima- gen CMOS con prestaciones básicas para fotografía digital, que incluye ma- triz de fotodiodos, circuitos de selección fila/columna y modulador sigma-delta a nivel de 4-columnas. La modulación sigma-delta aprovecha la ventaja del sobremuestreo, disminuye el ruido de cuantificación en ban- da, es robusto y compatible con dispositivos MOSFET. Para el diseño del modulador se optimizó la razón señal a ruido, a través de un modelo com- portamental. Todos los circuitos se implementaron con reglas de diseño de señal mixta y se fabricaron en un solo chip con tecnología CMOS estándar. Los resultados de mediciones e imágenes obtenidas con el prototipo mues- tran que la metodología de diseño que se utilizó es fiable. Este prototipo es un circuito VLSI y es la base del diseño de nuevos sistemas de detección fotónica para diversas aplicaciones. 2016 artículo científico 1405-7743 https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=40445803008 es http://www.redalyc.org/revista.oa?id=404 Ingeniería. Investigación y Tecnología application/pdf Universidad Nacional Autónoma de México Ingeniería. Investigación y Tecnología (México) Num.2 Vol.VXII |
| format | Artículo científico |
| id | redalyc_40445803008 |
| institution | Redalyc |
| language | es |
| publishDate | 2016 |
| publisher | Universidad Nacional Autónoma de México |
| spellingShingle | Prototipo sensor de imagen CMOS con arquitectura de modulación a nivel columna Sergio Garduza-González Ingeniería delta óxido semiconductor modulación sigma Convertidor analógico Prototipo sensor de imagen CMOS con arquitectura de modulación a nivel columna Sergio Garduza-González Felipe Gómez-Castañeda José Antonio Moreno-Cadenas Ponce-Ponce Víctor Hugo Ingeniería delta óxido semiconductor modulación sigma Convertidor analógico Un sensor de imagen CMOS se compone de matriz de sensado, lógica de selección fila/columna y convertidor analógico-digital. El desempeño de este último influye en el desempeño global del sensor de imagen. Una alter- nativa estudiada en los últimos años, es la arquitectura de sobremuestreo, que a diferencia de la tradicional arquitectura Nyquist, alcanza la misma razón señal a ruido, pero con cuantificador de 1-bit. Esta importante venta- ja es atractiva para depender menos de las imperfecciones tecnológicas de los circuitos. Este artículo presenta el diseño de un prototipo sensor de ima- gen CMOS con prestaciones básicas para fotografía digital, que incluye ma- triz de fotodiodos, circuitos de selección fila/columna y modulador sigma-delta a nivel de 4-columnas. La modulación sigma-delta aprovecha la ventaja del sobremuestreo, disminuye el ruido de cuantificación en ban- da, es robusto y compatible con dispositivos MOSFET. Para el diseño del modulador se optimizó la razón señal a ruido, a través de un modelo com- portamental. Todos los circuitos se implementaron con reglas de diseño de señal mixta y se fabricaron en un solo chip con tecnología CMOS estándar. Los resultados de mediciones e imágenes obtenidas con el prototipo mues- tran que la metodología de diseño que se utilizó es fiable. Este prototipo es un circuito VLSI y es la base del diseño de nuevos sistemas de detección fotónica para diversas aplicaciones. 2016 artículo científico 1405-7743 https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=40445803008 es http://www.redalyc.org/revista.oa?id=404 Ingeniería. Investigación y Tecnología application/pdf Universidad Nacional Autónoma de México Ingeniería. Investigación y Tecnología (México) Num.2 Vol.VXII |
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| topic | Ingeniería delta óxido semiconductor modulación sigma Convertidor analógico |
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