Modelo compacto con capacidad de predicción de parámetros físicos para amplificadores de RF

Fuente: Redalyc

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Détails bibliographiques
Auteur principal:	Guillermo Rafael-Valdivia
Format:	Artículo científico
Langue:	es
Publié:	Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia 2019
Sujets:	Ingeniería GaAs microondas movilidad electrónica Amplificadores de potencia RF transistores de efecto de campo
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