The double gaussian distribution of inhomogeneous barrier heights in Al/GaN/p-GaAs (MIS) schottky diodes in wide temperature range

Fuente: Redalyc

Enregistré dans:

Détails bibliographiques
Auteur principal:	S. Zeyrek
Format:	Artículo científico
Langue:	en
Publié:	Sociedade Brasileira de Física 2008
Sujets:	Física, Astronomía y Matemáticas MIS diode Dependence Temperature Nitride passivation Barrier inhomogeneities
Accès en ligne:	Acceder al recurso
Tags:	Ajouter un tag Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!

Internet