Potential performance of SiC and GaN based metal semiconductor field effect transistors

Fuente: Redalyc

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Detalles Bibliográficos
Autor principal:	H. Arabshahi
Formato:	Artículo científico
Lenguaje:	en
Publicado:	Sociedade Brasileira de Física 2009
Materias:	Física, Astronomía y Matemáticas state Steady Drain current frequency response Ballistic transport
Acceso en línea:	Acceder al recurso
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