Effect of non-abrupt doping and interfacial profiles on the carrier sheet density in one-side modulation-doped GaN/AlGaN quantum wells
Fuente:
Redalyc
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Artículo científico |
| Sprache: | en |
| Veröffentlicht: |
Sociedade Brasileira de Física
2009
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| Schlagworte: | |
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