Temperature-Dependent Current–Voltage (I–V) and Capacitance–Voltage (C–V) Characteristics of Ni/Cu/n-InP Schottky Barrier Diodes

Fuente: Redalyc

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Detalles Bibliográficos
Autor principal:	Y. Munikrishana Reddy
Formato:	Artículo científico
Lenguaje:	en
Publicado:	Sociedade Brasileira de Física 2013
Materias:	Física, Astronomía y Matemáticas Ni Cu Ideality factor InP Schottky diode Gaussian distribution
Acceso en línea:	Acceder al recurso
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