Temperature-Dependent Current–Voltage (I–V) and Capacitance–Voltage (C–V) Characteristics of Ni/Cu/n-InP Schottky Barrier Diodes
Fuente:
Redalyc
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Artículo científico |
| Sprache: | en |
| Veröffentlicht: |
Sociedade Brasileira de Física
2013
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| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | |
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