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Solid State Reaction of Ruthenium with 6H-SiC Under Vacuum Annealing and the Impact on the Electrical Performance of its Schottky Contact for High Temperature Operating SiC-Based Diodes

Fuente: Redalyc

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Détails bibliographiques
Auteur principal:	Kinnock V. Munthali
Format:	Artículo científico
Langue:	en
Publié:	Sociedade Brasileira de Física 2014
Sujets:	Física, Astronomía y Matemáticas 6H SiC Graphite Ruthenium Rutheniumsilicide
Accès en ligne:	Acceder al recurso
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