Ab Initio Calculation of the (100) and (110) Surface Phonon Dispersion of GaAs and GaN
Fuente:
Redalyc
Guardado en:
| Autor principal: | A. M. Santos |
|---|---|
| Formato: | Artículo científico |
| Lenguaje: | en |
| Publicado: |
Sociedade Brasileira de Física
2004
|
| Materias: | |
| Acceso en línea: | |
| Etiquetas: |
Agregar Etiqueta
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares
Initial Growth of GaN and InN Over GaAs (110) Substrates
por: H. W. Alves Leite
Publicado: (2004)
por: H. W. Alves Leite
Publicado: (2004)
Ab Initio Determination of the (100) Surfaces Phonon Dispersions of the SiC
por: J. S. Soares
Publicado: (2006)
por: J. S. Soares
Publicado: (2006)
Band Structure and Bulk Modulus of GaN
por: A. Mahmood
Publicado: (1999)
por: A. Mahmood
Publicado: (1999)
Exciton Confinement in InGaN/GaN Cylindrical Quantum Wires
por: E. F. da Silva
Publicado: (2004)
por: E. F. da Silva
Publicado: (2004)
Photoreflectance study of the GaAs buffer layer in InAs/GaAs quantum dots
por: D.J. Sánchez - Trujillo
Publicado: (2017)
por: D.J. Sánchez - Trujillo
Publicado: (2017)
Influences of nitridation and thermal annealing on GaN buffer layers and the property of subsequent GaN epilayers grown by MOCVD
por: Dong Sing Wuu
Publicado: (1999)
por: Dong Sing Wuu
Publicado: (1999)
Optical and Structural Properties of GaAs/GaInP Quantum Wells Grown by Chemical Beam Epitaxy
por: M. R. Martins
Publicado: (2004)
por: M. R. Martins
Publicado: (2004)
Thermal expansion contribution to the temperature dependence of excitonic transitions in GaAs and AlGaAs
por: I. F. L. Dias
Publicado: (2004)
por: I. F. L. Dias
Publicado: (2004)
Caracterización de capas de GaAs y GaAsMn depositadas por magnetrón sputtering
por: C.A. Pulzara-Mora
Publicado: (2016)
por: C.A. Pulzara-Mora
Publicado: (2016)
A majored thermal nitridation process on GaAs (100) surfaces: optical, structural and chemical analysis
por: H. Vilchis
Publicado: (2009)
por: H. Vilchis
Publicado: (2009)
Study of the RPA Pair-Correlation Function in GaAs-AlGaAs Parabolic Quantum WellWires
por: J. B. B. da Cunha
Publicado: (2004)
por: J. B. B. da Cunha
Publicado: (2004)
Exciton polariton emission from a resonantly excited GaAs microcavity
por: E. A. Cotta
Publicado: (2004)
por: E. A. Cotta
Publicado: (2004)
Effect of magnetic field and impurities in InAs/GaAs and GaN/AlN self-assembled quantum dots
por: G. Linares-García
Publicado: (2019)
por: G. Linares-García
Publicado: (2019)
Coherence of Elementary Excitations in Disordered GaAs/AlGaAs Superlattices
por: Yu. A. Pusep
Publicado: (2006)
por: Yu. A. Pusep
Publicado: (2006)
Transición electrónica fundamental en pozos cuánticos GaN/InGaN/GaN con estructura de zincblenda
por: H. Hernández-Cocoletzi
Publicado: (2006)
por: H. Hernández-Cocoletzi
Publicado: (2006)
Optical and structural characterization ot the heterostructure CdTe/GaAs grown by RF sputtering
por: M. Meléndez-Lira
Publicado: (1999)
por: M. Meléndez-Lira
Publicado: (1999)
The influence of TiB2-thinfilm thickness on metal - GaAs structural characteristics
por: Tetyana G. Kryshtab
Publicado: (1999)
por: Tetyana G. Kryshtab
Publicado: (1999)
Kinetic Monte Carlo Simulation of the Nitridation of the GaAs (100) Surfaces
por: A. P. Castro
Publicado: (2006)
por: A. P. Castro
Publicado: (2006)
Hall Effect in InAs/GaAs Superlattices with Quantum Dots: Identifying the Presence of Deep Level Defects
por: A. G. de Oliveira
Publicado: (2004)
por: A. G. de Oliveira
Publicado: (2004)
Gaussian superlattice in GaAs/GaInNAs solar cells
por: C.I. Cabrera
Publicado: (2017)
por: C.I. Cabrera
Publicado: (2017)
Intense red emission from an electron-beam excited GaN/Al2O3:Cr epitaxial sandwich structure
por: A. Zehe
Publicado: (2001)
por: A. Zehe
Publicado: (2001)
Photoluminescence study of GaAs homoepitaxial structures with different in situ substrate surface cleaning processes
por: Javier Luyo-Alvarado
Publicado: (1997)
por: Javier Luyo-Alvarado
Publicado: (1997)
Estudio de la difusión de calor en sistemas de dos capas de GaAs/GaSb unidos mediante la técnica de fusión
por: R. A. Muñoz Hernández
Publicado: (1999)
por: R. A. Muñoz Hernández
Publicado: (1999)
Optical properties of Er-doped GaN
por: Akihiro Wakahara
Publicado: (2007)
por: Akihiro Wakahara
Publicado: (2007)
Influence of Si(110) misoriented substrates on the microstructure and photoreflectance of GaAs thin films deposited by MBE
por: M. A. Vidal
Publicado: (2000)
por: M. A. Vidal
Publicado: (2000)
Growth and characterization of Ge1-xSnx alloys grown on Ge(001) and GaAs(001)
por: Vanesa Naar Osorio
Publicado: (2004)
por: Vanesa Naar Osorio
Publicado: (2004)
Effect of a III-V buffer layer on the quality of ZnSe thin films grown by MBE on GaAs substrates
por: M. Meléndez Lira
Publicado: (1999)
por: M. Meléndez Lira
Publicado: (1999)
Linear electro-optic reflectance modulated spectra of GaAs (001) around E1 and E1+1transitions
por: A. Lastras Martínez
Publicado: (1999)
por: A. Lastras Martínez
Publicado: (1999)
Electronic structure of delta shaped AlGaAs/GaAs quantum wells
por: M.R. Muro-Ortega
Publicado: (2007)
por: M.R. Muro-Ortega
Publicado: (2007)
Fotorreflectancia y fotoluminiscencia de películas de ZnSe crecidas por MBE sobre sustratos de GaAs con capas colchón de InxGa1-xAs y AlxGa 1-xAs
por: J. Luyo-Alvarado
Publicado: (1999)
por: J. Luyo-Alvarado
Publicado: (1999)
The double gaussian distribution of inhomogeneous barrier heights in Al/GaN/p-GaAs (MIS) schottky diodes in wide temperature range
por: S. Zeyrek
Publicado: (2008)
por: S. Zeyrek
Publicado: (2008)
Evidence of a surface acceptor state in undoped semi-insulating GaAs by photothermal radiometric deep level transient spectroscopy
por: Andreas Mandelis
Publicado: (1999)
por: Andreas Mandelis
Publicado: (1999)
Nanocrystalline GaN and GaN:H Films Grown by RF-Magnetron Sputtering
por: D. M. G. Leite
Publicado: (2006)
por: D. M. G. Leite
Publicado: (2006)
Ab Initio Calculation of the Dynamical Properties of PPP and PPV
por: H. W. Leite Alves
Publicado: (2006)
por: H. W. Leite Alves
Publicado: (2006)
Improving the electrical properties of non- intentionally doped n-GaN by deuteration
por: J. Mimila-Arroyo
Publicado: (2010)
por: J. Mimila-Arroyo
Publicado: (2010)
Structural and electronic properties of RuN/GaN superlattices: a first-principles study
por: C. Ortega López
Publicado: (2012)
por: C. Ortega López
Publicado: (2012)
Diluted Magnetic Ga1¡xMnxN Alloys: A First-Principles Study
por: J. L. A. Alves
Publicado: (2004)
por: J. L. A. Alves
Publicado: (2004)
Correlated Electron-Hole Transitions in Bulk GaAs and GaAs-(Ga,Al)As QuantumWells: Effects of Applied Electric and In-Plane Magnetic Fields
por: C. A. Duque
Publicado: (2006)
por: C. A. Duque
Publicado: (2006)
Estudio de películas de GaN crecidas por epitaxia de haces moleculares sobre substratos de Si en las direcciones (111) y (001) recubiertos con una capa delgada de SiC
por: M. Cervantes Contreras
Publicado: (2000)
por: M. Cervantes Contreras
Publicado: (2000)
Performance characteristics of GaN/Al0.2Ga0.8N quantum dot laser at L = 100 A˚
por: H. Bouchenafa
Publicado: (2019)
por: H. Bouchenafa
Publicado: (2019)
Ejemplares similares
-
Initial Growth of GaN and InN Over GaAs (110) Substrates
por: H. W. Alves Leite
Publicado: (2004) -
Ab Initio Determination of the (100) Surfaces Phonon Dispersions of the SiC
por: J. S. Soares
Publicado: (2006) -
Band Structure and Bulk Modulus of GaN
por: A. Mahmood
Publicado: (1999) -
Exciton Confinement in InGaN/GaN Cylindrical Quantum Wires
por: E. F. da Silva
Publicado: (2004) -
Photoreflectance study of the GaAs buffer layer in InAs/GaAs quantum dots
por: D.J. Sánchez - Trujillo
Publicado: (2017)