DC ANALYSIS OF p-n-p-n TUNNELING FIELD-EFFECT TRANSISTOR BASED ON In₀.₃₅Ga₀.₆₅As
Fuente:
Redalyc
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| Format: | Artículo científico |
| Langue: | en |
| Publié: |
Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia do Rio Grande do Norte
2018
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