DC ANALYSIS OF p-n-p-n TUNNELING FIELD-EFFECT TRANSISTOR BASED ON In₀.₃₅Ga₀.₆₅As
Fuente:
Redalyc
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Formato: | Artículo científico |
| Lenguaje: | en |
| Publicado: |
Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia do Rio Grande do Norte
2018
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| Materias: | |
| Acceso en línea: | |
| Etiquetas: |
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