EFECTOS ESTRUCTURALES EN EL SEMICONDUCTOR INSB, POR LA APLICACIÓN DE DIFERENTES MÉTODOS DE PRESIÓN

Fuente: Redalyc

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Bibliographic Details
Main Author:	MIRYAM R. JOYA
Format:	Artículo científico
Language:	es
Published:	Universidad Nacional de Colombia 2012
Subjects:	Ingeniería Insb Raman presión indentación transformación estructural de fase
Online Access:	Acceder al recurso
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