EFECTOS ESTRUCTURALES EN EL SEMICONDUCTOR INSB, POR LA APLICACIÓN DE DIFERENTES MÉTODOS DE PRESIÓN
Fuente:
Redalyc
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Artículo científico |
| Sprache: | es |
| Veröffentlicht: |
Universidad Nacional de Colombia
2012
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| Schlagworte: | |
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