Impact of the base doping concentration on the transport mechanisms in n-type a-SiGe:H/p-type c-Silicon Heterojunctions
Fuente:
Redalyc
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Formato: | Artículo científico |
| Lenguaje: | en |
| Publicado: |
Sociedad Mexicana de Física A.C.
2011
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