Electrical properties of resistive switches based on Ba1-xSr xTiO3 thin films prepared by RF co-sputtering

Fuente: Redalyc

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Détails bibliographiques
Auteur principal:	A. Márquez-Herrera
Format:	Artículo científico
Langue:	en
Publié:	Sociedad Mexicana de Física A.C. 2010
Sujets:	Física, Astronomía y Matemáticas non thin films ReRAM cells volatile memories Barium strontium titanate
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