Dependencia con la temperatura de los fonones activos en Raman del compuesto TlGaS2

Fuente: Redalyc
Enregistré dans:
Détails bibliographiques
Auteur principal: F.V. Perez G.
Format: Artículo científico
Langue:es
Publié: Sociedad Mexicana de Física A.C. 2006
Sujets:
Accès en ligne:
Tags: Ajouter un tag
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!