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Dependencia con la temperatura de los fonones activos en Raman del compuesto TlGaS2

Fuente: Redalyc

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Detalles Bibliográficos
Autor principal:	F.V. Perez G.
Formato:	Artículo científico
Lenguaje:	es
Publicado:	Sociedad Mexicana de Física A.C. 2006
Materias:	Física, Astronomía y Matemáticas TlGaS2 temperature Semiconductors
Acceso en línea:	Acceder al recurso
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