Modelling the C-V characteristics of MOS capacitor on high resistivity silicon substrate for PIN photodetector applications

Fuente: Redalyc

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Detalles Bibliográficos
Autor principal:	J.A. Luna–López.
Formato:	Artículo científico
Lenguaje:	en
Publicado:	Sociedad Mexicana de Física A.C. 2006
Materias:	Física, Astronomía y Matemáticas MOS V characteristics HRS and LRS substrates high and low frequency C time of response majority and minority carriers
Acceso en línea:	Acceder al recurso
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