Modelling the C-V characteristics of MOS capacitor on high resistivity silicon substrate for PIN photodetector applications
Fuente:
Redalyc
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Artículo científico |
| Sprache: | en |
| Veröffentlicht: |
Sociedad Mexicana de Física A.C.
2006
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| Schlagworte: | |
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