Tight-binding calculation of delta-doped field effect transistor

Fuente: Redalyc

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Détails bibliographiques
Auteur principal:	J.C. Martínez-Orozco
Format:	Artículo científico
Langue:	en
Publié:	Sociedad Mexicana de Física A.C. 2007
Sujets:	Física, Astronomía y Matemáticas doped Electronic Structure Gallium arsenide FET
Accès en ligne:	Acceder al recurso
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