Tight-binding calculation of delta-doped field effect transistor

Fuente: Redalyc

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Detalles Bibliográficos
Autor principal:	J.C. Martínez-Orozco
Formato:	Artículo científico
Lenguaje:	en
Publicado:	Sociedad Mexicana de Física A.C. 2007
Materias:	Física, Astronomía y Matemáticas doped Electronic Structure Gallium arsenide FET
Acceso en línea:	Acceder al recurso
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