Tight-binding calculation of delta-doped field effect transistor

Fuente: Redalyc

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Bibliographic Details
Main Author:	J.C. Martínez-Orozco
Format:	Artículo científico
Language:	en
Published:	Sociedad Mexicana de Física A.C. 2007
Subjects:	Física, Astronomía y Matemáticas doped Electronic Structure Gallium arsenide FET
Online Access:	Acceder al recurso
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