Síntesis y caracterización del material ternario Ag2SnSe3 dopado con galio
Fuente:
Redalyc
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| Autor principal: | |
|---|---|
| Formato: | Artículo científico |
| Lenguaje: | es |
| Publicado: |
Sociedad Mexicana de Física A.C.
2007
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| _version_ | 1876455126893330432 |
|---|---|
| author | M. Pirela |
| author_facet | M. Pirela |
| contents | Síntesis y caracterización del material ternario Ag2SnSe3 dopado con galio M. Pirela A. Velásquez-Velásquez M. Villareal B.J. Fernández L. Vivas G. Sánchez Pérez Física, Astronomía y Matemáticas Semiconductores análisis térmico difracción de rayos X en muestras policristalinas En este trabajo presentamos la s´ıntesis y caracterizacion del material ternario Ag ´ 2SnSe3dopado con Galio (Ga). Las muestras fueron sintetizadas por fusion directa de sus elementos en estequiometria 2:1:3 con dopaje de ´ Ga de 100, 1000 y 10000 ppm. El analisis qu ´ ´ımico (EDX) permitio establecer las relaciones estequiom ´ etricas. El an ´ alisis t ´ ermico diferencial (DTA) indica la existencia de una fase principal alrededor ´ de 503◦C asociado al punto de fusion de los materiales y un pico alrededor de 101 ´ ◦C aun sin interpretaci ´ on. El an ´ alisis de difracci ´ on de ´ rayos-X indica que el material Ag2SnSe3cristaliza con fase principal en el sistema monocl´ınico con grupo espacial Cc, y parametros de celda ´ unidad: a = 7.18 A, ˚ b = 10.55 A, ˚ c = 6.70 A, ˚ β= 111.98◦C, y segundas fases, siendo identificada hasta el momento SnSe2. 2007 artículo científico 0035-001X https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57036163063 es http://www.redalyc.org/revista.oa?id=570 Revista Mexicana de Física application/pdf Sociedad Mexicana de Física A.C. Revista Mexicana de Física (México) Num.7 Vol.53 |
| format | Artículo científico |
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| institution | Redalyc |
| language | es |
| publishDate | 2007 |
| publisher | Sociedad Mexicana de Física A.C. |
| spellingShingle | Síntesis y caracterización del material ternario Ag2SnSe3 dopado con galio M. Pirela Física, Astronomía y Matemáticas Semiconductores análisis térmico difracción de rayos X en muestras policristalinas Síntesis y caracterización del material ternario Ag2SnSe3 dopado con galio M. Pirela A. Velásquez-Velásquez M. Villareal B.J. Fernández L. Vivas G. Sánchez Pérez Física, Astronomía y Matemáticas Semiconductores análisis térmico difracción de rayos X en muestras policristalinas En este trabajo presentamos la s´ıntesis y caracterizacion del material ternario Ag ´ 2SnSe3dopado con Galio (Ga). Las muestras fueron sintetizadas por fusion directa de sus elementos en estequiometria 2:1:3 con dopaje de ´ Ga de 100, 1000 y 10000 ppm. El analisis qu ´ ´ımico (EDX) permitio establecer las relaciones estequiom ´ etricas. El an ´ alisis t ´ ermico diferencial (DTA) indica la existencia de una fase principal alrededor ´ de 503◦C asociado al punto de fusion de los materiales y un pico alrededor de 101 ´ ◦C aun sin interpretaci ´ on. El an ´ alisis de difracci ´ on de ´ rayos-X indica que el material Ag2SnSe3cristaliza con fase principal en el sistema monocl´ınico con grupo espacial Cc, y parametros de celda ´ unidad: a = 7.18 A, ˚ b = 10.55 A, ˚ c = 6.70 A, ˚ β= 111.98◦C, y segundas fases, siendo identificada hasta el momento SnSe2. 2007 artículo científico 0035-001X https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57036163063 es http://www.redalyc.org/revista.oa?id=570 Revista Mexicana de Física application/pdf Sociedad Mexicana de Física A.C. Revista Mexicana de Física (México) Num.7 Vol.53 |
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| topic | Física, Astronomía y Matemáticas Semiconductores análisis térmico difracción de rayos X en muestras policristalinas |
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