Procesos de grabado seco de silicio monocristalino con alta velocidad de grabado y anisotropía para su aplicación en la fabricación de MEMS

Fuente: Redalyc
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Autor principal: C. Álvarez-Macias
Formato: Artículo científico
Lenguaje:es
Publicado: Sociedad Mexicana de Física A.C. 2007
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author C. Álvarez-Macias
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contents Procesos de grabado seco de silicio monocristalino con alta velocidad de grabado y anisotropía para su aplicación en la fabricación de MEMS C. Álvarez-Macias C. Reyes-Betanzo Física, Astronomía y Matemáticas MEMS grabado seco Silicio monocristalino Se presentan los resultados experimentales del grabado seco de silicio monocristalino para su aplicaci ´on en la fabricaci´on de sistemas microelectro-mec´anicos (MEMS) utilizando un reactor RIE/ICP. Se analiz´o la contribuci´on de las componentes f´ısica y qu´ımica sobre la velocidady perfil de grabado respecto a la variaci´on de la presi´on, bombardeo i´onico, flujo, tipo y mezcla de gases, y distancia a la regi´on de plasmadenso. El principal gas reactivo empleado fue SF6 en mezcla con Ar, O2 o CF4. Se utilizaron enmascarantes de fotorresina, di´oxido de silicioy aluminio. Se obtuvieron velocidades de grabado anis´otrpo de hasta 4 μm/min con enmascarante de SiO2y velocidad de grabado is´otrpode hasta 13 μm/min con enmascarante de Al, ambos en plasma de SF6/O2. Perfiles de grabado verticales se observaron cuando el voltaje deautopolarizaci´on es el m´as alto, y el material enmascarante present´o un fuerte efecto sobre los resultados obtenidos. 2007 artículo científico 0035-001X https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57053610 es http://www.redalyc.org/revista.oa?id=570 Revista Mexicana de Física application/pdf Sociedad Mexicana de Física A.C. Revista Mexicana de Física (México) Num.6 Vol.53
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C. Álvarez-Macias
Física, Astronomía y Matemáticas
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grabado seco
Silicio monocristalino
Procesos de grabado seco de silicio monocristalino con alta velocidad de grabado y anisotropía para su aplicación en la fabricación de MEMS C. Álvarez-Macias C. Reyes-Betanzo Física, Astronomía y Matemáticas MEMS grabado seco Silicio monocristalino Se presentan los resultados experimentales del grabado seco de silicio monocristalino para su aplicaci ´on en la fabricaci´on de sistemas microelectro-mec´anicos (MEMS) utilizando un reactor RIE/ICP. Se analiz´o la contribuci´on de las componentes f´ısica y qu´ımica sobre la velocidady perfil de grabado respecto a la variaci´on de la presi´on, bombardeo i´onico, flujo, tipo y mezcla de gases, y distancia a la regi´on de plasmadenso. El principal gas reactivo empleado fue SF6 en mezcla con Ar, O2 o CF4. Se utilizaron enmascarantes de fotorresina, di´oxido de silicioy aluminio. Se obtuvieron velocidades de grabado anis´otrpo de hasta 4 μm/min con enmascarante de SiO2y velocidad de grabado is´otrpode hasta 13 μm/min con enmascarante de Al, ambos en plasma de SF6/O2. Perfiles de grabado verticales se observaron cuando el voltaje deautopolarizaci´on es el m´as alto, y el material enmascarante present´o un fuerte efecto sobre los resultados obtenidos. 2007 artículo científico 0035-001X https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57053610 es http://www.redalyc.org/revista.oa?id=570 Revista Mexicana de Física application/pdf Sociedad Mexicana de Física A.C. Revista Mexicana de Física (México) Num.6 Vol.53
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