InAs quantum dots grown on GaAs (100) surfaces subjected to novel in-situ treatments

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Auteur principal:	V. H. Méndez-García
Format:	Artículo científico
Langue:	en
Publié:	Sociedad Mexicana de Física A.C. 2005
Sujets:	Física, Astronomía y Matemáticas V materials quantum dots Nanoestructures semiconducting III molecular beam epitaxy
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