Optical properties of Er-doped GaN
Fuente:
Redalyc
Salvato in:
| Autore principale: | Akihiro Wakahara |
|---|---|
| Natura: | Artículo científico |
| Lingua: | en |
| Pubblicazione: |
Sociedad Mexicana de Física A.C.
2007
|
| Soggetti: | |
| Accesso online: | |
| Tags: |
Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi
Nanocrystalline GaN and GaN:H Films Grown by RF-Magnetron Sputtering
di: D. M. G. Leite
Pubblicazione: (2006)
di: D. M. G. Leite
Pubblicazione: (2006)
GaN nanowires and nanotubes growth by chemical vapor deposition method at different NH3 flow rate
di: Pengan Li
Pubblicazione: (2016)
di: Pengan Li
Pubblicazione: (2016)
Electron Mobility Study of Hot-Wall CVD GaN and InN Nanowires
di: Elena Cimpoiasu
Pubblicazione: (2006)
di: Elena Cimpoiasu
Pubblicazione: (2006)
Deviation from thermodynamic equilibrium at the initial stage of the GaN growth by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)
di: V.A. Elyukhin
Pubblicazione: (2001)
di: V.A. Elyukhin
Pubblicazione: (2001)
Estudio teórico del ferromagnetismo en la superred (VN)1 /(GaN)3
di: Rafael González-Hernández
Pubblicazione: (2012)
di: Rafael González-Hernández
Pubblicazione: (2012)
Effect of GaN substrate thickness on the optical field of InGaN laser diodes
di: J. A. Martín
Pubblicazione: (2018)
di: J. A. Martín
Pubblicazione: (2018)
France GaN Charger Market Analysis
di: Next Move Strategy Consulting
Pubblicazione: (2025)
di: Next Move Strategy Consulting
Pubblicazione: (2025)
India GaN Charger Market Analysis
di: Next Move Strategy Consulting
Pubblicazione: (2025)
di: Next Move Strategy Consulting
Pubblicazione: (2025)
GaN growth on (111) Si with very thin amorphous SiN layer by ECR plasma-assisted MBE
di: Masao Tamura
Pubblicazione: (2001)
di: Masao Tamura
Pubblicazione: (2001)
Adsorción e incorporación de Cu en la superficie GaN(0001)
di: J. Alberto Nieto
Pubblicazione: (2012)
di: J. Alberto Nieto
Pubblicazione: (2012)
Estudio de Confiabilidad en Diodos Basados en AlGaN/GaN Durante el Estado de Encendido
di: Eliana Acurio
Pubblicazione: (2022)
di: Eliana Acurio
Pubblicazione: (2022)
Photoluminescence studies of Mg-doped gallium nitride films grown by metalorganic chemical vapor deposition
di: C. Guarneros
Pubblicazione: (2012)
di: C. Guarneros
Pubblicazione: (2012)
Optical and electrical characterization of AlxGa1−xAs layers grown on GaAs obtained by a metallic-arsenic-based-MOCVD system
di: J. Díaz-Reyes
Pubblicazione: (2007)
di: J. Díaz-Reyes
Pubblicazione: (2007)
Spin Dynamics of Electrons and Holes in p-Doped InAs/GaAs Quantum Dots
di: P.-F. Braun
Pubblicazione: (2006)
di: P.-F. Braun
Pubblicazione: (2006)
Formation and characterization of ion beam assisted nanosystems in silicon
di: P.R. Poudel
Pubblicazione: (2010)
di: P.R. Poudel
Pubblicazione: (2010)
Influence of baking on the photoluminescence spectra of In1-x GaxAsyP1-y solid solutions grown on Inp substrates
di: V.A. Mishurnyi
Pubblicazione: (2004)
di: V.A. Mishurnyi
Pubblicazione: (2004)
Propiedades estructurales, electrónicas y magnéticas de la multicapa MnN/GaN: un estudio ab initio
di: Miguel Espitia Rico
Pubblicazione: (2013)
di: Miguel Espitia Rico
Pubblicazione: (2013)
A COMPREHENSIVE REVIEW OF RF AMPLIFIER - TECHNOLOGY AND APPLICATIONS
di: Ananiya, Ananiya, et al.
Pubblicazione: (2025)
di: Ananiya, Ananiya, et al.
Pubblicazione: (2025)
Estudio por primeros principios de las propiedades estructurales y electrónicas de la multicapa CrN/GaN
di: Ricardo Eulises Báez Cruz
Pubblicazione: (2013)
di: Ricardo Eulises Báez Cruz
Pubblicazione: (2013)
A 25 W 70% Efficiency Doherty Power Amplifier at 6 dB Output Back-Off for 2.4 GHz Applications with VGS, PEAK Control
di: Jorge Moreno Rubio
Pubblicazione: (2015)
di: Jorge Moreno Rubio
Pubblicazione: (2015)
ANALYSIS OF SILICON CARBIDE POLYMORPHS SUBSTRATES EFFECT ON PERFORMANCES OF ALGAN/GAN DOUBLE QUANTUM WELL HEMTS
di: M. Sabaghi
Pubblicazione: (2019)
di: M. Sabaghi
Pubblicazione: (2019)
Analysis of Er3+ Incorporation in SnO2 by Optical Investigation
di: Evandro A. de Morais
Pubblicazione: (2006)
di: Evandro A. de Morais
Pubblicazione: (2006)
A Deep Learning-Monte Carlo Combined Prediction of Side-Effect Impact Ionization in Highly Doped GaN Diodes
di: García-Sánchez, Sergio, et al.
Pubblicazione: (2023)
di: García-Sánchez, Sergio, et al.
Pubblicazione: (2023)
Cu halide nanoparticle formation by diffusion of copper in alkali halide crystals
di: A. Pérez-Rodríguez
Pubblicazione: (2006)
di: A. Pérez-Rodríguez
Pubblicazione: (2006)
Refractive index expressions for Ga1-x lnxAs, GaAs1-xNx and Ga1-xlnxNyAs1-y alloys
di: J.A. Martín
Pubblicazione: (2015)
di: J.A. Martín
Pubblicazione: (2015)
Synthesis and Characterisation of CdS Nanoparticles in Mesoporous Copolymer Template
di: A.F.G. Monte
Pubblicazione: (2006)
di: A.F.G. Monte
Pubblicazione: (2006)
Preparation, characterization and temperature-dependent photoluminescence in Ca0.90Sr0.10RuO3 compound
di: A. Quiroz
Pubblicazione: (2018)
di: A. Quiroz
Pubblicazione: (2018)
Structural and optical characterization of Inx Ga1-xN nano-structured grown by chemical vapor deposition
di: A. Ramos-Carrazco
Pubblicazione: (2011)
di: A. Ramos-Carrazco
Pubblicazione: (2011)
Estudio de las películas de paladio como barreras de difusión para contactos ohmicos en semiconductores III-V
di: I. Kudriavtsev
Pubblicazione: (2005)
di: I. Kudriavtsev
Pubblicazione: (2005)
Study of InxGa1-xN layers growth on GaN/Al2O3 by MOCVD at different pressures
di: C. Guarneros
Pubblicazione: (2013)
di: C. Guarneros
Pubblicazione: (2013)
Carbon site switching in carbon doped GaAs, its dependence on carbon concentration
di: S. W. Bland
Pubblicazione: (2003)
di: S. W. Bland
Pubblicazione: (2003)
Efectos de los contactos eléctricos en dispositivos de efecto hall cuántico basados en heteroestructuras AlGaAs/GaAs
di: V. H. Méndez García
Pubblicazione: (2004)
di: V. H. Méndez García
Pubblicazione: (2004)
Adsorción de átomos de oxígeno sobre la superficie grafeno/GaN(0001)
di: FABIAN HERRERA RODRIGUEZ
Pubblicazione: (2021)
di: FABIAN HERRERA RODRIGUEZ
Pubblicazione: (2021)
Desarrollo de un conjunto de programas para el cálculo de parámetros de enlace para satélites de comunicación.
di: Amanda Oralia Gómez González
Pubblicazione: (1982)
di: Amanda Oralia Gómez González
Pubblicazione: (1982)
Photoquenching Indications of a Thermally Triggered Transition Between Two Different EL2 Metastable States in GaAs
di: P. P. Fávero
Pubblicazione: (2006)
di: P. P. Fávero
Pubblicazione: (2006)
FTIR and photoluminescence studies of porous silicon layers oxidized in controlled water vapor conditions
di: M.A. Vásquez-A.
Pubblicazione: (2007)
di: M.A. Vásquez-A.
Pubblicazione: (2007)
Phase equilibria in heterogeneous systems with AxB1-xCyD1-y alloys
di: B. L. Rivera Flores
Pubblicazione: (2003)
di: B. L. Rivera Flores
Pubblicazione: (2003)
MOCVD GaInP heterojunction bipolar transistor current gain stability
di: V. Cabrera
Pubblicazione: (2001)
di: V. Cabrera
Pubblicazione: (2001)
Electronic States in n-Type GaAs Delta-Doped Quantum Wells Under Hydrostatic Pressure
di: M. E. Mora-Ramos
Pubblicazione: (2006)
di: M. E. Mora-Ramos
Pubblicazione: (2006)
Dependencia con la temperatura de los fonones activos en Raman del compuesto TlGaS2
di: F.V. Perez G.
Pubblicazione: (2006)
di: F.V. Perez G.
Pubblicazione: (2006)
Documenti analoghi
-
Nanocrystalline GaN and GaN:H Films Grown by RF-Magnetron Sputtering
di: D. M. G. Leite
Pubblicazione: (2006) -
GaN nanowires and nanotubes growth by chemical vapor deposition method at different NH3 flow rate
di: Pengan Li
Pubblicazione: (2016) -
Electron Mobility Study of Hot-Wall CVD GaN and InN Nanowires
di: Elena Cimpoiasu
Pubblicazione: (2006) -
Deviation from thermodynamic equilibrium at the initial stage of the GaN growth by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)
di: V.A. Elyukhin
Pubblicazione: (2001) -
Estudio teórico del ferromagnetismo en la superred (VN)1 /(GaN)3
di: Rafael González-Hernández
Pubblicazione: (2012)