Performance characteristics of GaN/Al0.2Ga0.8N quantum dot laser at L = 100 A˚

Fuente: Redalyc

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Détails bibliographiques
Auteur principal:	H. Bouchenafa
Format:	Artículo científico
Langue:	en
Publié:	Sociedad Mexicana de Física A.C. 2019
Sujets:	Física, Astronomía y Matemáticas III Quantum dot optical gain laser threshold nitride semiconductors
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