Effect of magnetic field and impurities in InAs/GaAs and GaN/AlN self-assembled quantum dots

Fuente: Redalyc
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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: G. Linares-García
Format: Artículo científico
Sprache:en
Veröffentlicht: Sociedad Mexicana de Física A.C. 2019
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