Effect of magnetic field and impurities in InAs/GaAs and GaN/AlN self-assembled quantum dots

Fuente: Redalyc
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Detalles Bibliográficos
Autor principal: G. Linares-García
Formato: Artículo científico
Lenguaje:en
Publicado: Sociedad Mexicana de Física A.C. 2019
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