Transistores de película delgada basados en oxido de Zinc por spray pyrolysis ultrasonico de alta frecuencia a baja temperatura

Fuente: Redalyc
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Main Author: O Obregon
Format: Artículo científico
Language:en
Published: Sociedad Mexicana de Física A.C. 2021
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author O Obregon
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contents Transistores de película delgada basados en oxido de Zinc por spray pyrolysis ultrasonico de alta frecuencia a baja temperatura O Obregon J. A Luna Lopez P Rosales M. A Domınguez Física, Astronomía y Matemáticas spin on glass oxido de Zinc electronica flexible spray pyrolysis ultrasonico En este artıculo, se reporta la fabricacion de transistores de pelıcula delgada con oxido de zinc (ZnO TFTs) sobre sustratos de plastico por spray pyrolysis ultrasonico de alta frecuencia a baja temperatura. La maxima temperatura de fabricacion fue de 200 ´ ◦C. Spin-on glass fue usado como dielectrico de compuerta. El tereftalato de polietileno (PET) es usado como sustrato de plastico. Los ZnO TFTs exhiben una movilidad de electrones de 1.25 cm2 /Vs y un voltaje de umbral de 10.5 V, mientras la relacion de corriente on/off fue de 104. Adicionalmente, la densidad de trampas en la capa activa y en la interfaz dielectrico/semiconductor es calculada. Ademas, capacitores metal-diel ectrico-metal fueron fabricados sobre plastico y caracterizados para evaluar el desempe no del diel ˜ ectrico de compuerta. 2021 artículo científico 0035-001X https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57082956012 en http://www.redalyc.org/revista.oa?id=570 Revista Mexicana de Física application/pdf Sociedad Mexicana de Física A.C. Revista Mexicana de Física (México) Num.4 Vol.67
format Artículo científico
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publishDate 2021
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spellingShingle Transistores de película delgada basados en oxido de Zinc por spray pyrolysis ultrasonico de alta frecuencia a baja temperatura
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Transistores de película delgada basados en oxido de Zinc por spray pyrolysis ultrasonico de alta frecuencia a baja temperatura O Obregon J. A Luna Lopez P Rosales M. A Domınguez Física, Astronomía y Matemáticas spin on glass oxido de Zinc electronica flexible spray pyrolysis ultrasonico En este artıculo, se reporta la fabricacion de transistores de pelıcula delgada con oxido de zinc (ZnO TFTs) sobre sustratos de plastico por spray pyrolysis ultrasonico de alta frecuencia a baja temperatura. La maxima temperatura de fabricacion fue de 200 ´ ◦C. Spin-on glass fue usado como dielectrico de compuerta. El tereftalato de polietileno (PET) es usado como sustrato de plastico. Los ZnO TFTs exhiben una movilidad de electrones de 1.25 cm2 /Vs y un voltaje de umbral de 10.5 V, mientras la relacion de corriente on/off fue de 104. Adicionalmente, la densidad de trampas en la capa activa y en la interfaz dielectrico/semiconductor es calculada. Ademas, capacitores metal-diel ectrico-metal fueron fabricados sobre plastico y caracterizados para evaluar el desempe no del diel ˜ ectrico de compuerta. 2021 artículo científico 0035-001X https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57082956012 en http://www.redalyc.org/revista.oa?id=570 Revista Mexicana de Física application/pdf Sociedad Mexicana de Física A.C. Revista Mexicana de Física (México) Num.4 Vol.67
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