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Optimización del modelo en pequeña señal del transistor bipolar de heterounión de SiGe para altas frecuencias y ruido

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Bibliographic Details
Main Author:	Aníbal U. Pacheco-Sánchez
Format:	Artículo científico
Language:	es
Published:	Instituto Politécnico Nacional 2010
Subjects:	Ingeniería CAD SiGe parámetros de dispersión figuras de mérito de ruido transistor bipolar de heterounión
Online Access:	Acceder al recurso
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