Ground and Excited States Energy in InAs Quantum Dots in a Well InGaAs/GaAs Structures

Fuente: Redalyc

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Detalles Bibliográficos
Autor principal:	Erick Velázquez-Lozada
Formato:	Artículo científico
Lenguaje:	en
Publicado:	Instituto Politécnico Nacional 2012
Materias:	Ingeniería QD sizes ground state growth temperatures multi excited state energy
Acceso en línea:	Acceder al recurso
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