Implementación de un sistema de depósito químico en fase vapor asistido por filamento caliente (HFCVD) para la obtención del semiconductor trióxido de tungsteno (WO3)

Fuente: Redalyc
Saved in:
Bibliographic Details
Main Author: Iván Juan-Almazán
Format: Artículo científico
Language:es
Published: Instituto Politécnico Nacional 2022
Subjects:
Online Access:
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!