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Implementación de un sistema de depósito químico en fase vapor asistido por filamento caliente (HFCVD) para la obtención del semiconductor trióxido de tungsteno (WO3)

Fuente: Redalyc

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Dettagli Bibliografici
Autore principale:	Iván Juan-Almazán
Natura:	Artículo científico
Lingua:	es
Pubblicazione:	Instituto Politécnico Nacional 2022
Soggetti:	Ingeniería HFCVD Semiconductores trióxido de tungsteno
Accesso online:	Acceder al recurso 1 Acceder al recurso 2 Acceder al recurso 3 Acceder al recurso 4 Acceder al recurso 5
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