Crecimiento de películas delgadas de nitruro de carbono por deposicion con láser pulsado.
Fuente:
Redalyc
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|---|---|
| Format: | Artículo científico |
| Langue: | es |
| Publié: |
Universidad Tecnológica de Pereira
2007
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| _version_ | 1876469530146897920 |
|---|---|
| author | Henry Riascos |
| author_facet | Henry Riascos |
| contents | Crecimiento de películas delgadas de nitruro de carbono por deposicion con láser pulsado. Henry Riascos Lina Maria Franco Jaime Andres Perez Ingeniería Ablación Láser Nitruro de Carbono Películas delgadas Espectroscopia Raman Microscopía de Fuerza Atómica Hemos crecido películas delgadas de nitruro de carbono (CNx) mediante elDeposición por Láser Pulsado (DLP), usando como blanco grafito de alta purezay como substrato silicio. Las películas fueron crecidas en un ambiente de gas denitrógeno, variando la presión del gas, para dos valores de la fluencia del láser ydos valores de la temperatura del substrato. Estas películas fueron caracterizadaspor Microscopia de Fuerza Atómica (AFM) y espectroscopia Raman. Larugosidad de las películas depende tanto de la presión del gas de trabajo como dela temperatura del substrato, sus estructuras son amorfas presentando los picos Dy G, típicos de las estructuras tipo fulereno. 2007 artículo científico 0122-1701 https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=84903624 es http://www.redalyc.org/revista.oa?id=849 Scientia Et Technica application/pdf Universidad Tecnológica de Pereira Scientia Et Technica (Colombia) Num.36 Vol.XIII |
| format | Artículo científico |
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| institution | Redalyc |
| language | es |
| publishDate | 2007 |
| publisher | Universidad Tecnológica de Pereira |
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| topic | Ingeniería Ablación Láser Nitruro de Carbono Películas delgadas Espectroscopia Raman Microscopía de Fuerza Atómica |
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