Estudios por impedancia eléctrica de nanoestructuras de ZnO
Fuente:
Redalyc
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| Autor principal: | |
|---|---|
| Formato: | Artículo científico |
| Lenguaje: | es |
| Publicado: |
Universidad Tecnológica de Pereira
2013
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| Materias: | |
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| _version_ | 1876455445801992192 |
|---|---|
| author | David Alfredo Garzón-Ramos |
| author_facet | David Alfredo Garzón-Ramos |
| contents | Estudios por impedancia eléctrica de nanoestructuras de ZnO David Alfredo Garzón-Ramos Eduardo Cano Plata Carlos Vargas-Hernandez Ingeniería EIS EIS XRD XRD ZnO Se realizaron estudios estructurales y de impedancia eléctrica de nanoestructuras semiconductoras de ZnO, las partículas se encuentran sintetizadas en forma de polvo y películas en substratos de vidrio. Se describe también el proceso de deposición de las películas a través del método SILAR, proceso que se deriva de la técnica CBD (Chemical Bath Deposition). El análisis XRD muestra tamaños de cristalito de hasta 100 Å, y coeficientes de texturas comprendidos entre 3.5 y 1.5 para las películas, además de encuentra influencia en la calidad de la película en respuesta al precursor de zinc empleado. La técnica de Espectroscopía de Impedancias indica que el polvo de ZnO compactado presenta un comportamiento altamente resistivo, con resistencia del orden 3.2 x 108 Ω, llegando sugerir que el material tiende a comportarse como capacitivo puro. 2013 artículo científico 0122-1701 https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=84929153003 es http://www.redalyc.org/revista.oa?id=849 Scientia Et Technica application/pdf Universidad Tecnológica de Pereira Scientia Et Technica (Colombia) Num.2 Vol.18 |
| format | Artículo científico |
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| institution | Redalyc |
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| publishDate | 2013 |
| publisher | Universidad Tecnológica de Pereira |
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