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| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | Artículo científico |
| Sprache: | es |
| Veröffentlicht: |
Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C.
2000
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| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201008 |
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| _version_ | 1866817342503124992 |
|---|---|
| author | R. DElía |
| author_facet | R. DElía |
| contents | Purificación del Cd por destilación en vacío dinámico R. DElía H. Cánepa E. Heredia J. Marrero A. Ledesma U. Gilabert A.B. Trigubó Física, Astronomía y Matemáticas El Hg1-xCdxTe (MCT) es el semiconductor más importante para la detección infrarroja, especialmente para las longitudesde onda comprendidas en los rangos 3-5 y 8-14 mm. Se ha encarado la purificación de los elementos de partida queconstituyen este ternario con el objeto de mejorar la calidad del material crecido en nuestro laboratorio , esto mejorará lascaracterísticas de los detectores que se construyan con él. A pesar de que dichos elementos poseen ya un alto grado depureza, en muchas aplicaciones no es suficiente (detectores fotoconductores, junturas abruptas). Se presenta una técnicade purificación para el Cd con y sin la presencia de una pequeña cantidad de su óxido. Las muestras fueron analizadas porICP- AES (Induced Coupled Plasma - Atomic Emission Spectroscopy) evidenciando mejores niveles de pureza debido ala destilación. Se comparan los valores de pureza obtenidos con las dos variantes de destilación 2000 artículo científico 1665-3521 https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201008 es http://www.redalyc.org/revista.oa?id=942 Superficies y vacío application/pdf Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. Superficies y vacío (México) Num.10 |
| format | Artículo científico |
| id | redalyc_94201008 |
| language | es |
| publishDate | 2000 |
| publisher | Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. |
| spellingShingle | Purificación del Cd por destilación en vacío dinámico R. DElía Física, Astronomía y Matemáticas Purificación del Cd por destilación en vacío dinámico R. DElía H. Cánepa E. Heredia J. Marrero A. Ledesma U. Gilabert A.B. Trigubó Física, Astronomía y Matemáticas El Hg1-xCdxTe (MCT) es el semiconductor más importante para la detección infrarroja, especialmente para las longitudesde onda comprendidas en los rangos 3-5 y 8-14 mm. Se ha encarado la purificación de los elementos de partida queconstituyen este ternario con el objeto de mejorar la calidad del material crecido en nuestro laboratorio , esto mejorará lascaracterísticas de los detectores que se construyan con él. A pesar de que dichos elementos poseen ya un alto grado depureza, en muchas aplicaciones no es suficiente (detectores fotoconductores, junturas abruptas). Se presenta una técnicade purificación para el Cd con y sin la presencia de una pequeña cantidad de su óxido. Las muestras fueron analizadas porICP- AES (Induced Coupled Plasma - Atomic Emission Spectroscopy) evidenciando mejores niveles de pureza debido ala destilación. Se comparan los valores de pureza obtenidos con las dos variantes de destilación 2000 artículo científico 1665-3521 https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201008 es http://www.redalyc.org/revista.oa?id=942 Superficies y vacío application/pdf Sociedad Mexicana de Ciencia y Tecnología de Superficies y Materiales A.C. Superficies y vacío (México) Num.10 |
| title | Purificación del Cd por destilación en vacío dinámico |
| topic | Física, Astronomía y Matemáticas |
| url | https://www.redalyc.org/articulo.oa?id=94201008 |